Anasayfa

Tek Tabaka Grafen-SiO2/Si Substrat Üzerinde (2″, 3″ veya 4″)

Fiyat için Arayın

Tek Tabaka Grafen-SiO2/Si Substrat Üzerinde

(2″, 3″ veya 4″)

Grafen Filmin Özellikleri

Saydamlık : > 95 %
Kapsama Alanı : > 93%
Kalınlık (teorik) : 0.340 nm
Levha Direnci : 500-530 Ohms/sq
Parçacık Boyutu: 6-10 μm

SiO2/Si Substrat’ ın Özellikleri

Kuru Oksit Kalınlığı : 300 nm
Tip P/N
Oryantasyon: <100>
Öz Direnç : 0.001 – 0.01
Kalınlık : 525 +/- 20 μm
Ön Yüzey : Tek tarafı cilalı

Uygulama Alanı:

Grafen araştırması; süperkapasitörler; Katalizör; Güneş enerjisi; Grafen optoelektronik, plazmonik ve nanophotonik; Grafen yarı iletken çipleri; İletken grafen filmi; Grafen bilgisayar belleği; Biyomalzemeler ve Biyoelektronik

 

 Hazırlama Yöntemi: (Si/Si02 Substratındaki Grafen aşağıdaki aşamalarla hazırlandı:

1) Bakır folyoda yetişen tek katmanlı grafen
2) PMMA çökeltme ve kür işlemi
3) Aşındırma işlemi ile Cu çıkarın
4) PMMA/Grafeni DI suyla yıkayın
5) PMMA/Grafeni Si substrat üzerinde tekrar çökeltme ve kürleme işlemi
6) PMMA asetonla çıkarın
Kategoriler:

Tek Tabaka Grafen-SiO2/Si Substrat Üzerinde

(2″, 3″ veya 4″)

Grafen Filmin Özellikleri

Saydamlık : > 95 %
Kapsama Alanı : > 93%
Kalınlık (teorik) : 0.340 nm
Levha Direnci : 500-530 Ohms/sq
Parçacık Boyutu: 6-10 μm

SiO2/Si Substrat’ ın Özellikleri

Kuru Oksit Kalınlığı : 300 nm
Tip P/N
Oryantasyon: <100>
Öz Direnç : 0.001 – 0.01
Kalınlık : 525 +/- 20 μm
Ön Yüzey : Tek tarafı cilalı

Uygulama Alanı:

Grafen araştırması; süperkapasitörler; Katalizör; Güneş enerjisi; Grafen optoelektronik, plazmonik ve nanophotonik; Grafen yarı iletken çipleri; İletken grafen filmi; Grafen bilgisayar belleği; Biyomalzemeler ve Biyoelektronik

 

 Hazırlama Yöntemi: (Si/Si02 Substratındaki Grafen aşağıdaki aşamalarla hazırlandı:

1) Bakır folyoda yetişen tek katmanlı grafen
2) PMMA çökeltme ve kür işlemi
3) Aşındırma işlemi ile Cu çıkarın
4) PMMA/Grafeni DI suyla yıkayın
5) PMMA/Grafeni Si substrat üzerinde tekrar çökeltme ve kürleme işlemi
6) PMMA asetonla çıkarın